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磊晶芯片 （半导体相关）
磊晶系在晶体表面成长一层晶体。
击穿电荷 （半导体相关）
表征二氧化硅电特性的参数，用加电流量电压法测得。加1mA至nsec,如果第nse
标准清洗 （半导体相关）
标准清洗又叫RCA清洗。由SPM/APM/HPM组成，SPM为H2SO4和H2O
弧光反应室 （半导体相关）
ArcChamber弧光反应室弧光反应室,事实上就是一个直流式的电浆产生器。因为
直流溅镀法 （半导体相关）
DCSputtering直流溅镀法脱离电浆的带正电荷离子，在暗区的电场的加速下，
椭圆测厚仪 （半导体相关）
椭圆测厚仪将已知波长的入射光分成线性偏极或圆偏极，照射2003-7-17在待射芯
轻掺杂集极 （半导体相关）
轻掺杂集极简称LDD，可以防止热电子效应(HotElectron/Carrier
区域氧化法 （半导体相关）
区域氧化法LocalOxidationofSilicon即区域氧化，简称LOCO
质流控制器 （半导体相关）
质流控制器简称MFC,是直接测量气体流量的一种装置，常用在流动气体的控制上。主要
欧姆式接触 （半导体相关）
欧姆式接触欧姆接触（OhmicContact）是指金属与半导体的接触，而其接触面
短通道效应 （半导体相关）
短通道效应当MOS组件愈小，信道的长度将随之缩短，电晶体的操作速度将加快，但是，
旋制氧化硅 （半导体相关）
旋制氧化硅(SpinonGlass)是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂
硼磷硅玻璃 （半导体相关）
BPSG:为硼磷硅玻璃，含有B,P元素的SiO2,加入B,P可以降低Flow温度
闸极氧化层 （半导体相关）
闸极氧化层
热电子效应 （半导体相关）
在VLSI的时代，ShortChannelDevice势在必行，而目前一般Cir
离子植入机 （半导体相关）
离子植入机
金属半导体 （半导体相关）
构成IC的晶体管结缸可分为两型一双载子型(bipolar)和MOS(Metal-
原始氧化层 （半导体相关）
当我们把硅芯片暴露在含氧的环境里时，例如氧气或水，芯片表面的硅原子便会进行如下（
半导体组件 （半导体相关）
半导体组件，常以ONO（OxideNitrideOxide氧化层-氮化层-氧化层
三氯氧化磷 （半导体相关）
一种用做N+扩散用的化合物。通常以N2为"载气"(CarrierGas)，带着P
金属硅化物 （半导体相关）
Silicide通常指金属硅化物，为金属舆硅的化合物。在微电子工业硅晶集成电路中
旋涂式玻璃 （半导体相关）
旋制氧化硅(SpinonGlass)是利用旋制芯片，将含有硅化物的溶液均匀地平涂
超音波清洗 （半导体相关）
超音波清洗（UltrasonicCleaning），通过超音波原理进行的清洗。超
透明化可弯曲纳米纸 （半导体器件）
上海科学家的一项研究成果，以“纳米纸”为衬底，成功制备出透明、可弯曲、可降解的半
可程序化逻辑门阵列 （含有可编辑元件的半导体设备）
系统设计师可以根据需要通过可编辑的连接把FPGA内部的逻辑块连接起来，就好像一个
意法半导体 （最大半导体公司之一）
意法半导体（ST）集团于1987年成立，是由意大利的SGS微电子公司和法国Tho
硒化锌晶体 （VI族化合物半导体）
硒化锌晶体ainc selenide crystal }nSe周期表} ， VI
全氟并五苯 （n型有机半导体）
全氟并五苯（Perfluoropentacene，PFP）是一种n型有机半导体，
固溶体半导体 （具有半导体性质的固溶体）
固溶体半导体：具有半导体性质的固溶体，又称混晶或混合晶体。大多数固溶体半导体为代
稀磁性半导体 （磁性半导体）
稀磁性半导体是指非磁性半导体中的部分原子被过渡金属元素取代后形成的磁性半导体，因
肖克利二极管 （四层半导体二极管）
肖克利二极管（英语：Shockley diode)，是一个四层半导体二极管，首批
嵌入式开发板 （半导体行业分工合作的载体）
嵌入式开发板（Embedded development board）就是半导体行
铟镓锌氧化物 （透明非晶氧化物半导体）
传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管已经很难满足要求，以铟镓锌氧化物(IGZO
光生伏特效应 （半导体在受到光照射时产生电动势的现象）
光生伏特效应，“光生伏特效应”，简称“光伏效应”，英文名称：Photovolta
雪崩倍增效应 （强电场下半导体中的载流子的倍增现象）
雪崩倍增效应，强电场下半导体中的载流子的大量倍增现象。当半导体中的电场超过某一特
磁敏电阻材料 （半导体）
磁敏电阻材料的电阻值随外旋磁场的变化而变化。与霍尔器件相比，磁敏电阻结构简单、可
低维半导体 （半导体）
低维半导体，载流子（电子或空穴）运动维数低于三维的半导体。载流子运动状态，在空间
半导体异质结构 （一种半导体结构）
半导体异质结构是一种半导体结构，由两层以上不同的半导体材料薄膜依次沉积在同一基座
第三代半导体材料 （半导体学术语）
二十一世纪以来，以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石为
氧化钴系气敏陶瓷 （气敏效应的氧化钴系半导体陶瓷）
氧化钴系气敏陶瓷是指具有气敏效应的氧化钴系半导体陶瓷。为p型半导体，在氧分压增加