铟镓锌氧化物

传统的非晶硅薄膜晶体管和有机薄膜晶体管已经很难满足要求，以铟镓锌氧化物(IGZO)为代表的透明非晶氧化物半导体(TAOS)具有迁移率高、均一性好、透明等优点，将有望成为下一代显示技术中薄膜晶体管的有源层材料。作为TFT的核心部分，有源层的成膜质量、厚度等因素直接影响到薄膜晶体管的器件性能，所以对IGZO-TFT有源层的研究具有重要的意义。