轻掺杂集极

轻掺杂集极简称LDD，可以防止热电子效应(HotElectron/CarrierEffect)；方法是采用离子植入法，在原来的MOS的源极和汲极接近通道的地方，再增加一组掺杂程度较原来n型的源极与汲极为低的n型区。缺点是制程复杂且轻掺杂使S/D串联电阻增大，导致组件操作速度降低。