在VLSI的时代，ShortChannelDevice势在必行，而目前一般Circuit应用上又未打算更改SupplyVoltage；如此一来，Vg=Vds=5V情况下，将造成ImpactIonization（撞击游离化）现象发生于Drain邻近区域。伴随而生的Electron-Holepairs(电子电洞对)，绝大部份经由Drain(Electrons)orSub.(Holes)导流掉。但基于统计观点，总会有少部份Electrons（i.e.Hot-Electrons)所具Energy，足以克服Si-SiO2的BarrierHeight(能障)，而射入SiO2，且深陷（Trap）其中。另亦有可能在Hot-Electrons射入过程中打断Si-H键结，而形成InterfaceTrap于Si-SiO2界面。不论遵循上述二者之任一，均将导致NMOSPerformance的退化(Degradation)现象。