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再生硅片 （半导体相关）
Reclaim再生硅片半导体晶圆厂内设备进行生产前，均需以测试硅片来量测沉积膜层
闭锁效应 （半导体相关）
Latchup:闭锁效应CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极
薄膜成长 （半导体相关）
薄膜成长（ThinFilmGrowth），底材的表面材质也是薄膜的形成部分元素之
电浆 （半导体相关）
PECVD英文全名为PlasmaEnhancementCVD。CVD化学反应所需
半导体快速接头 （半导体、氟树脂半导体生产设备）
半导体快速接头，半导体、氟树脂半导体生产设备主要用于装置。主体应或注模成形的氟树
icscrm （半导体术语）
icscrm是关于半导体的学术名词。
铜铟硒太阳能电池 （多元化合物半导体薄膜电池）
铜铟硒太阳能电池，亦称“铜铟硒太阳电池”。以铜铟硒薄膜为吸收层的多元化合物半导体
刻蚀选择比 （半导体术语）
刻蚀选择比指的是在同一刻蚀条件下一种材料与另一种材料相对刻蚀速率快慢。它定义为被
硅化铬晶体 （元素化合物半导体）
硅化铬晶体chr}}mium }i}ic:ide crystal CrSi}周朗
硒化镉晶体 （族化合物半导体）
硒化镉晶体。admium selenidc crys:al CdSe lAl}}
碳化硅晶片 （一种半导体器件）
碳化硅晶片的主要应用领域有LED固体照明和高频率器件。该材料具有高出传统硅数倍的
低压晶体管 （固体半导体器件）
一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能
磷化镓单晶 （化合物半导体）
磷化镓单晶周期系第l、V族化合物半导体。化学分子式GaP。共价键结合，有一定的离
晶格失配 （半导体术语）
晶格失配，是指由于衬底和外延层的晶格常数不同而产生的失配现象。
氮化铟镓 （三元化合物半导体）
氮化铟镓，分子式InxGa1-xN。利用氮化铟和氮化镓所形成的三元化合物半导体。
四探针测试技术 （测量半导体电阻率的方法）
四探针测试技术，简称为四探针法，是测量半导体电阻率最常用的一种方法。
白片 （半导体界）
“白片”是一种很通俗的叫法（半导体界），并没有太专业化的定义。要想说清楚，还得先
挡片 （半导体相关）
DummyWafer挡片对制程起一定辅助作用的硅片，区别于产品、控片，一般对其质
蚀刻后检查 （半导体相关）
AEI即AfterEtchingInspection，在蚀刻制程光阻去除前和光阻
非平衡载流子 （处于非平衡状态的半导体）
非平衡载流子是指处于非平衡状态的半导体，其载流子浓度也不再是n0和p0，可以比他
电磁媒质的宏观参量 （电磁媒质包括电介质、导体和半导体等）
电磁媒质的宏观参量，电磁媒质包括电介质、导体和半导体等。在外电磁场作用下，一般说
除湿装置 （用于半导体制冷除湿的设备）
除湿装置，智能型抽湿装置是采用半导体制冷除湿方式，主动将密闭空间的潮湿空气在风扇
次微米 （半导体行业术语）
次微米（Sub-Micron），一般用来描述半导体工业的发展。
热阻体 （半导体制品）
热阻体（thermister）为一种电阻的温度系数极大的半导体制品，其电阻值随温
阶梯覆盖能力 （半导体相关）
表征薄膜沉积时对晶片表面上不同几何结构的覆盖能力，简单地说，即膜层均匀性。如下图
压缩干燥空气 （半导体相关）
CDA压缩干燥空气通常指压力在60到110psi之间的空气，作为控气动阀的领气阀
萃取电极 （半导体相关）
Extraction Electrode是离子植入机中用来将Source的Arc
等向性蚀刻 （半导体相关）
等向性蚀刻在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀
内存单元 （半导体存储单元）
内存单元一般采用半导体存储单元，包括随机存储器（RAM），只读存储器（ROM），
45纳米 （半导体）
45nm(1μm=1000nm，1nm为10亿分之一米)不是指的芯片上每个晶体管
快速热制程 （半导体相关）
RTP(RapidThermalProcessing)与炉管最大的差别是:RTP
预烧试验 （半导体相关）
Burnin预烧试验「预烧」(Burnin)为可靠性测试的一种，旨在检验出那些在
垫氧化层 （半导体相关）
PadOxide垫氧化层在制程中主要是起到缓冲层,一般做为SIN的垫底以抵消SI
杂质补偿 （半导体）
杂质补偿在同一区域内同时含有施主和受主杂质的半导体称为补偿半导体。属于半导体物理
平带电势 （半导体不存在过剩电荷时的电势）
平带电势（flat band potential）半导体不存在过剩电荷时的电势(
集成芯片 （通过半导体技术集成制造的芯片）
集成芯片是指先将晶体管集成制造为特定功能的芯粒（Chiplet），再按照应用需求
铝砷化镓 （半导体）
砷化镓铝，是一种半导体，其化学式为AlξGa1-ξAs。它的晶格常数非常接近砷化
牺牲氧化层 （半导体相关）
牺牲氧化层作用:去除在fieldoxidation过程中，由于KooiEffec
BOE （半导体相关）
B.O.E.是HF与NH4F依不同比例混合而成。6:1BOE蚀刻即表示HF:NH
HPM （半导体相关）
HCl+H2O2+DIWater混合液体的简称，常用来去除移动金属离子。