磷化镓单晶周期系第l、V族化合物半导体。化学分子式GaP。共价键结合，有一定的离子键成分，属闪锌矿型结构为复式晶格，晶格常数为0.54495nm，密度4.1297×103kg/m3。磷化镓的第一布里渊区为截角八面体，导带极小值位于<100>方向，电子有效质量为0.35m，m为电子惯性质量；价带极大值约位于布里渊区中心，重空穴和轻空穴有效质量分别为0.86m和0.14m，为间接带隙半导体。室温时，禁带宽度为2.26eV，本征载流子浓度为2.7×106/m3。较纯晶体的电子和空穴迁移率分别为1.5×10-2m2/(v·s)和1.2×10-2m2/(v·S)。掺入Ⅱ族、Ⅳ族或Ⅵ族原子可获得p型或n型材料，还具有等电子陷阱。少数载流子寿命约为10-3～10-4μs。其熔点1467℃，可用区熔或直拉法制备单晶，还可用气相外延、液相外延、分子束外延，金属有机物化学气相淀积法制备。