台积电

在现在的半导体行业当中，无论台积电、三星还是英特尔，都将FinFET技术作为最主要的技术进行半导体生产。

这是半导体行业中最早的一种运作模式，名为“垂直整合制造”，英文缩写“”。
这种模式最大的特点就是半导体公司集芯片设计、芯片制造、芯片封装和测试等多个产业链环节于一身。在20世纪七八十年代，早期的多数集成电路企业都是采用这一模式运作的。
这种模式最大的优势是，能对设计、制造等环节协同优化，有助于充分发掘技术潜力，能有条件率先实验并推行新的半导体技术。
不过，与此同时，它也有其显著的缺点，比如：公司规模庞大，管理成本较高；运营费用较高，资本回报率偏低。目前，仅有极少数企业能够维持这种运作模式，代表性企业有三星、英特尔和德州仪器等。
美国著名半导体公司AMD也曾采用这种运作模式，但因为自己的芯片制造技术一直落后于竞争对手英特尔，导致出产的芯片在市场上一直处于竞争劣势，最终不得不剥离芯片制造环节，将芯片制造外包给台积电代工，这才扭转了自己的竞争颓势。可以说，这种模式即便是世界顶级公司也很容易玩脱。
在半导体行业，首先对这种模式发起挑战的就是台湾著名的半导体代工厂商台积电。当年，台积电创始人张仲谋在看到这种模式的缺点之后，开创性地创建了Foundry（代工厂）模式半导体制造工厂，专门为那些没有能力建立自己的半导体制造工厂的芯片设计公司代工制造，一举打破了这种模式在半导体行业占主流的局面。
不过，在正常情况下，这种模式确实有非常多的缺点，但它还有一个好处就是半导体制造不会被别人掐住。2020年，华为就因为被美国制裁，台积电不能为它代工海思芯片，最终导致自己设计的芯片没人敢接单生产。后来，华为就曾表示，他们后悔没有采用这种模式，才导致了现在的这种局面。

这是一种半导体晶体管设计与技术方案，它的英文缩写为，中文译名环绕式栅极技术，是现在半导体工艺制程进入5nm之后主流方案鳍式场效应晶体管失效后为摩尔定律续命的最佳替代方案。
与上一代鳍式场效应晶体管的革命性设计不同，它只是一种鳍式场效应晶体管设计方案的改进版，所以也很难确定它的极限，一般认为可以支持3nm工艺，但很难突破1nm。
这项技术的特点是实现了栅极对沟道的四面包裹，源极和漏极不再像前代技术一样直接和基底接触，而是利用线状或者平板状、片状等多个源极和漏极横向垂直于栅极分布后，实现晶体管的基本结构和功能。
目前，世界上最先进的2大半导体制造商三星和台积电因为制程领先，已在积极开发相关的制程工艺技术，据传2022年能够实现量产。