通道阻绝植入

通道阻绝植入在集成电路中，各电晶体彼此间则以场氧化层（FOX）加以隔离的，因为场氧化层上方常有金属导线通过，为了防止金属层，场氧化层，底材硅产生类似NMOS的电容效应，场氧化层下方的区域常掺有掺质浓度很高的P型层，以防止类似NMOS的反转层在场氧化层下发生，而破坏电晶体间的隔离。这层P型层通常称为'ChannelStop',这层掺质是以离子植入（Implantation）的方式完成的，所以称为通道阻绝植入。