牺牲氧化层

（半导体相关）

牺牲氧化层作用:去除在fieldoxidation过程中，由于KooiEffect而造成的缺陷.避免光阻和Si表面直接接触,造成污染.并对下一步骤的离子植入有一定的散射作用，即降低通道效应的影响.