击穿电荷

（半导体相关）

表征二氧化硅电特性的参数，用加电流量电压法测得。加1mA至nsec,如果第nsec电压<20V,则Qbd=1mA*(n-1)coul/0.01cm2。Qbd>1.0coul/cm2且D0<80时才pass。