垫氧化层

（半导体相关）

PadOxide垫氧化层在制程中主要是起到缓冲层,一般做为SIN的垫底以抵消SIN的应力，并且阻止光阻污染Si芯片表面。其制程条件为：温度：950℃~1100℃;气体：O2或O2+TDCE(含氯的碳氢化合物)压力：接近1ATM;SiO2厚度：100?~500?