砷化镓集成电路

砷化镓集成电路（gallium arsenide integrated circuit，GaAsIC），是指用半导体砷化镓（GaAs）器件构成的集成电路。砷化镓集成电路包括了砷化镓超高速集成电路(VHsIC)、微波单片集成电路(MMIC)和光电集成电路(OEIC)。GaAsIC主要指以GaAs半导体材料为主所制作的集成电路，其有源器件主要是金属肖特基场效应晶体管(MESFET)和结型场效应晶体管(JFET)；同时还包含了用分子束外延(MB)E和有机金属汽相沉积(MOCVD)生长的材料所制作的高电子迁移率晶体管(HEMT)和异质结双极晶体管(HBT)等器件所研制的集成电路。集成电路是一种微小型化的电子电路，主要有半导体集成电路、薄膜集成电路、厚膜集成电路、混合集成电路等4类。其中半导体集成电路是依据固体的微观及宏观特性采用一系列掺杂工艺、细线条工艺、薄膜工艺等精密的微细加工工艺在单片半导体单晶材料上构成包含需要的晶体管、二极管、电阻、电容等元器件的微小型化电子电路。砷化镓集成电路是一种半导体集成电路，主要采用砷化镓做为半导体材料。