半导体量子阱结构(Semiconductor quantum wells)是指两种半导体材料按三明治样式生长成的结构。以AlAs和GaAs两种材料生长成的半导体量子阱为例，三明治结构的两边是由AIAs层形成的势垒，夹心的GaAs中间层，在其层厚小于电子的德布罗意波长时，就形成了电子(空穴)的量子阱。以AlAs和GaAs两种材料生长成的半导体量子阱为例，三明治结构的两边是由AIAs层形成的势垒，夹心的GaAs中间层，在其层厚小于电子的德布罗意波长时，就形成了电子(空穴)的量子阱。量子阱中的电子沿层面自由运动，垂直层面受限制，构成所谓两维电子气，并在垂直层面方向形成分立能级。分立能级间的能隙随阱宽增大而变小，直至过渡到自由空间的连续能级的现象，反映了量子阱的基本效应—量子尺寸效应。