氧化层阻陷电荷

（半导体相关）

氧化层阻陷电荷（OxideTrappedCharge），Qot,这类电荷没有特定的分布位置，主要是因为芯片过程中的其它制程，如离子植入、电浆蚀刻以及物理气相沉积所引起的电子及电洞，被氧化层内的杂质或未饱和键所扑捉而陷入所造成的。所以带正电或负电则不一定。