电浆蚀刻在干蚀刻(DryEtch)技术中，一般多采用电浆蚀刻(PlasmaEtching)与活性离子蚀刻(ReactiveIonEtching)，通常电浆蚀刻使用较高的压力(大于200mT)及较小的RF功率，当芯片浸在电浆之中，曝露在电浆的表层原子or分子与电浆中的活性原子接触并发生反应而形成气态生成物而离开晶面造成蚀刻，此类蚀刻即称之为电浆蚀刻。所谓电浆(Plasma)即为气体分子在一电场中被游离成离子(正、负电荷)、电子、及中性基(Radical)等，在纯化学反应中，吾人取中性基为蚀刻因子，在R.I.E时，取活性离子作为蚀刻因子。