通常杂质在半导体高温扩散有两种方式:Constant-Surface-ConcentrationDiffusion(恒定源扩散):ThevaporsourcemaintainsaconstantlevelofsurfaceconcentrationduringtheentireDiffusionperiod(likePOCl3dope)这个扩散模式，是假设离子在界面上所具备的浓度，并不随扩散的进行而改变。且一直为一个定值所建立。换句话说，不管离子的扩散持续多久，离子在界面上的浓度将维持在一个定值下。Constant-Total-DopantDiffusion(限定源扩散):Afixedamountofdopantisdepositedintothesemiconductorsurfaceinthinlayer,andthedopantsubsequentlydiffuseintothesemiconductor(likeionimplantation,drivein)