硒化镉晶体。admium selenidc crys:al CdSe lAl}}s}11 ，}I族化合物半导体。硒化镉晶体。admium selenidc crys:al CdSe lAl}}s}11 ，}I族化合物半导体。离子键结合，有一定的共价键成分。六角品系铅锌矿型结构，』帚格常数0 . 4299 nm。密度5.74g1cm-熔点1254 C'。导带极小值和价带极大值均位于布里渊区中心，为直接带隙平导体。电子和空穴有效惯性质量分别为}1.13rr，和U.4rn。室温禁带宽度〕.74eV，电了迁移率5、功'-mZ}{ V -sJ用液相外延、气相外延、分子束外延等方法制备晶体用高压熔融法制备单晶，用于制作光探测器件。