硅化铬晶体

硅化铬晶体chr}}mium }i}ic:ide crystal CrSi}周朗表第 11}} ， }}1族元素化合物半导体。六角晶系，密度4 .4glcrr} >禁带 宽度}).3SeV，电阻率1D 3}' m}熔点15511、1r50}:_温差 电材料优质系数fl . }5\lU-3K一‘。一般为P型材料，掺锰形 成。型材料。采用金属氧化物与硅还原法、化学气相沉积或 溅射法制备。为优良温差电材料。