FDSOI技术即全耗尽型SOI技术，有些文献上也写成ETSOI即超薄型SOI，具有非常强的竞争力，适合20nm及更高级别制程的移动/消费电子产品使用。FDSOI的技术背景 FD-SOI是下一代的主流技术是采用体硅技术制作的32/28nm制程平面型晶体管。AMD，IBM以及其它部分厂商目前则在使用基于部分耗尽型SOI技术的平面型晶体管制造自己的处理器产品。相比之下，Intel公司过去则放弃了SOI的有关技术，称他们不需要这种技术。对22/16nm级别制程而言，人们有多种晶体管结构可供选择，包括III-V族沟道技术，体硅技术，FinFET立体晶体管技术，FD-SOI全耗尽型平面晶体管技术，多栅立体晶体管技术等等，不过目前为止还没有哪种技术呈现出王者之象。