纳米制备气固生长法（vapor-solid growth for nanofabrication），工学-材料科学与工程-纳米材料-纳米技术，纳米材料生长过程中，气态反应物直接在衬底上成核、生长，最终形成纳米结构的方法。20世纪初，人们已经从实验和理论上对气相原子生长形成晶须的动力学生长过程进行了研究。但对气固法获得准一维纳米结构的机理仍不清楚。有研究认为，表面能最小化趋势在准一维纳米结构的生长中起到重要作用。但对氧化铟和氧化镉纳米带的相关研究，表明在生长中动力学因素可能起着关键作用。大量研究表明，温度和过饱和度是控制气固生长过程产物形态的两个重要参数，但气固生长机理的具体过程还有待研究。用气固生长法生长纳米材料无须异质金属催化剂，能够合成多种准一维的纳米结构，包括纳米线、纳米棒和纳米带等。无催化剂的材料生长过程大多数都遵循气固（VS）机理，其生长过程是：在高温区产生的气相反应物，被载气输运到低温区的衬底上成核，反应物继续在成核点沉积，从而晶体沿着某一方向择优生长，最后形成准一维纳米结构。其成核中心一般存在气固界面的微观缺陷。