非晶态半导体漂移迁移率

非晶态半导体漂移迁移率（drift mobility of amorphous semiconductor），材料科学技术名词，非晶态半导体中存在带尾态和带隙态，它们能起陷阱作用，当载流子在扩展态中漂移时，会长时间停留在陷阱中，因而，实际迁移率要比扩展态中自由载流子迁移率小得多，即为非晶态漂移迁移率。