全耗尽型半导体探测器

全耗尽型半导体探测器（total depleted semiconductor detector），放射医学与防护名词，一种耗尽层厚度等于半导体材料厚度的半导体探测器。在PN结探测器中，耗尽层的厚度是与半导体材料的电阻率和外加偏压的平方根成正比。目前可得到厚度为50～100μm不同规格的全耗尽层半导体探测器。