近红外像增强器（near infrared image intensifier），工学-光学工程-光学应用-光学测量-微光夜视技术-微光夜视成像器件-外光电效应型成像器件，采用砷化镓铟为光电阴极，通过调节砷化镓铟中的铟含量，可供人眼直接观察或电荷耦合元件直接接收的器件。近红外延伸微光像增强器采用砷化镓铟为光电阴极，通过调节砷化镓铟中的铟含量，使其阈值波长延伸到1.65微米。砷化镓铟是一种直接带隙半导体。通过调节砷化镓铟材料中铟的组分，使其能带宽度发生变化，形成光电发射时长波阈值不同。近红外像增强器是在三代微光像增强器基础上进行扩展的，有利于微光器件光谱响应与夜天光谱的更有效匹配，易与1.06微米的激光组合成近红外远距离脉冲选通夜视系统，从而实现对近红外目标的主动观察和被动成像。开展砷化镓铟近红外微光像增强器研制的国家主要是美国和俄罗斯等。在美国，砷化镓铟像增强器已试用于AN/PVS-7或ANVIS上。