半导体外延生长

半导体外延生长（epitaxial growth of semiconductors），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[薄膜生长]-半导体外延生长，将衬底的结晶结构延伸到沉积层中形成有源层的技术。在半导体材料和器件的早期发展中已发现，用体单晶进行扩散或离子注入等方法形成薄膜作为有源层时，难以控制它们的浓度、厚度、结晶性能和电学性质等。因此，在20世纪60年代发展了外延工艺。外延是用单晶层沉积在单晶衬底表面上，并使衬底的结晶结构延伸到沉积层中。当沉积层和衬底是同种材料时称为同质外延，如砷化镓层沉积在砷化镓衬底上；当沉积层与衬底不是同种材料时，则称为异质外延，如镓铝砷层沉积在砷化镓衬底上。