Ⅱ类超晶格（type Ⅱ superlattice），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，组成超晶格材料的能带带隙的相对位置排列为彼此错开型的超晶格，即一种材料的导带在另一种材料的价带之下。InAs/GaSb超晶格是一种典型的Ⅱ类超晶格，其能带结构如图1所示。超晶格使得InAs阱中电子能级展宽后形成类似导带的微带，同时也使得GaSb垒中的重空穴能级展宽后形成了类似价带的微带，两者之间形成了与红外光子能量相当的有效带隙，改变量子阱或者垒的宽度可以改变的大小。通过使用掺杂技术，InAs/GaSb超晶格材料可实现不同的导电类型，进而可用于制备光伏型器件。这些特点使得InAs/GaSb超晶格在材料性能上非常接近碲镉汞（HgCdTe）材料，正因如此，近年来InAs/GaSb超晶格探测器的发展非常迅速。图1 InAs/GaSb超晶格的能带结构InAs/GaSb超晶格的阱或垒宽度都只有几个到几十个原子层，随着InAs层的增厚或GaSb层的减薄，材料的带隙随之减小。InAs/GaSb超晶格材料中微带之间的电子跃迁为带间跃迁，能直接吸收垂直入射光，量子效率理论上能做到50%以上。