负微分电阻（negative differential resistance），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，一定条件下电流随电压增加呈下降趋势时的电阻。对于某些半导体材料双端器件，正向导通时电流随电压呈非线性增加；当正向电压达到某值，由于电子转移效应，电子从低能谷转移到高能谷，电流随电压增加呈下降趋势，这种现象就是负微分电阻（NDR）效应。1881年NDR首次在电弧的研究中被发现，但没有得到重视；1896年J.弗里思[注]和C.罗杰斯[注]提出了负微分电阻的概念；1909年半导体中的负微分电阻效应才以点接触方式，由W.H.埃克尔斯[注]和G.皮卡德[注]发现；1922年O.洛谢夫[注]首次开始了NDR二极管的研究工作，但因为真空管的绝对地位而被忽略；首次广泛应用的NDR器件是隧穿二极管，1957年由江崎玲於奈发明，由于更小的结尺寸，具有更低的寄生电阻，适用于更高的频率。此后NDR器件进入高速发展期，衍生了诸如碰撞电离雪崩渡越时间二极管（IMPATT）、耿氏二极管、二极管等。由于这种非线性，电阻随电流或电压而改变，微分电阻（动态电阻）的定义为：。