半导体表面

半导体表面（surface of semiconductor），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料物理性质]-半导体表面，半导体与真空或空气相接触的界面。半导体表面是半导体体内原子排列终止的地方，其原子和电子结构与体内的不同。表面特性对半导体器件性能的影响很大。对半导体表面的研究是半导体物理的重要组成部分。半导体表面科学的研究范围大致分为两部分：①外表面层，即最外面的几个原子层（相当于几个至几十个埃的厚度）。在这个区域内，半导体的原子结构和电子态一般与体内的不同。②内表面层，即几十至几千个原子层（相当于几十至几千个埃的厚度）。在这个区域内，能带弯曲，出现空间电荷区。半导体表面物理的早期研究工作，主要集中于内表面层性质的研究。在空间电荷区中，载流子的浓度分布发生变化，导致积累层、耗尽层和反型层的出现。这是金属-氧化物-半导体（MOS）结构器件的物理基础。自20世纪60年代以来，由于超高真空技术以及各种表面能谱分析方法的迅速发展，半导体表面的研究进入了一个新的更加活跃的阶段，主要集中于对外表面层性质的研究。其研究方法主要为表面能谱分析。