层错四面体（stacking fault tetrahedra），工学-材料科学与工程-材料基础-晶体缺陷-面缺陷，在fcc晶体中可以通过一定过程形成一个缺陷构成，其4个面是｛111｝类型的面，6个棱边是<110>类型方向的四面体。此四面体的每一个面是内禀层错，而每一个边是压杆位错。它的形成是从一个｛111｝面一个三角形弗兰克不滑位错环开始，如图a所示。此环内部是一片内禀层错。在一定应力之下此三角形的每一个边在相应的其他｛111｝面上分解，如图b所示。分解的位错在该边上留下不全位错，在相应的｛111｝面上产生相应的层错，而在各个｛111｝面的交截线（棱边）上会合形成新的不全位错，如图c所示。最后闭合，构成如图d所示的层错四面体。除了这个方式之外，层错四面体也可以由扩展螺型位错上的（束约）割阶发展形成，这种过程的几何构型较为复杂。另一种形成层错四面体的机制是成核和长大过程。即小层错四面体可在晶体内部成核，其边上可能存在着小割阶，通过攀移运动而使层错四面体长大。这种层错四面体在低层错能的金属中易于形成。一般原始的三角形环由空位凝聚而成。