硅温度传感器，当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定。当两个相同的晶体管在集电极电流密度比恒定的情况下工作时，它们的基极-发射极电压差仅与绝对温度成正比。其他的温度传感器则基于采用二极管接法的晶体管的基极-发射极电压VBE的行为，此VBE随着温度反向变化，这个变化速率非常恒定，为- 2mV /℃，但是对于不同的晶体管，VBE变化的绝对值也不同。为了补偿这种变化，可以在不同的IE值下比较ΔVBE。