外延薄膜

外延薄膜（epitaxy thin film），工学-材料科学与工程-无机非金属材料-无机涂层，在单晶衬底（基片）上，外延生长一层原子规则排列、与衬底晶向相同的单晶薄膜。外延薄膜最早出现于20世纪50年代末60年代初。当时，为了制造高频大功率器件，需要减小集电极串联电阻，又要求材料能耐高压和大电流，因此需要在低阻值衬底上生长一层薄的高阻外延层。外延薄膜可在导电类型、电阻率等方面与衬底不同。外延薄膜的出现大大提高了器件设计的灵活性和器件的性能。根据薄膜与衬底材料的种类，外延薄膜分为同质外延薄膜和异质外延薄膜。同质外延薄膜是指薄膜与衬底为相同的材料，异质外延薄膜是指薄膜与衬底为不同的材料。根据掺杂浓度的不同，又分为正外延和反外延薄膜。正外延是指重掺杂单晶衬底上生长轻掺杂的外延薄膜，反外延是指在轻掺杂的衬底上生长重掺杂的外延薄膜。外延薄膜制备方法又称为外延生长技术，包括气相外延、液相外延和固相外延。常见的外延薄膜包括单质半导体硅、锗外延薄膜，化合物半导体碳化硅、氮化镓、砷化镓、磷化铟、氮化铝、氮化铟、氧化锌等外延薄膜，金属外延薄膜和复杂化合物外延薄膜等。