硅探测器

硅探测器（silicon detector），工学-核技术-〔核探测器和核电子学〕-核辐射探测器-核辐射探测，用于核辐射探测的硅单晶P-N结半导体探测器。又称硅半导体探测器。硅探测器是一个加反向偏压的P-N结二极管，由两个电极，如整流接触电极和欧姆接触电极，以及P-N结灵敏区或耗尽区构成。P-N结二极管是通过适当工艺，将掺有均匀杂质浓度的P型半导体和N型半导体直接接触形成的。这种直接接触是在单晶硅（Si）片的一个面上或相对的两个平行平面上，通过掺入均匀杂质引起电导类型变化所构成的不同导电类型材料的接触。这是一种热力学接触，直接结合在一起的P型和N型半导体由于热运动，载流子就会从浓度高的地方向浓度低的地方扩散，即电子从N区向P区扩散，空穴从P区向N区扩散。P区空穴离开后，留下了不移动的带负电荷的电离受主，没有电荷与之保持电中性，因此，在P-N结P区侧出现了一个负电荷区。同理，在P-N结N区一侧，出现了电离施主构成的正电荷区。负电荷区和正电荷区构成空间电荷区，并自建一电场，电场N侧为正，P侧为负，使电子空穴的扩散达到平衡。