带尾态（band-tail state），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，半导体中从带边开始延续一直进入带隙的额外连续电子态。带尾态常见于重掺杂半导体。主要是由多体效应和杂质的随机分布引起的。在干净的半导体中放入杂质原子或缺陷后，等价于创造了一个稍微不一样的材料。能带结构既然是材料的一个特征，杂质的引入则表现为能带结构的畸变。能带结构的这个变化来自多个物理机制。首先，每个掺杂离子在半导体带隙中形成一个局域的能级，在重掺杂半导体中大量的杂质引入半导体晶格，这些高密度的局域能级最后相互作用形成一个能带。另外，在高掺杂情况下，这些杂质能带和半导体的导带或价带汇合在一起。其中自由电子和施主电子一起形成一个相互作用费米气。费米气内部电子的相互作用及与带正电离子的相互作用，显著改变了非相互作用费米气的色散抛物线关系。这些效应可以认为导带朝价带的刚性移动所导致的带隙变窄和态密度的扭曲。除了这个扭曲，杂质在空间的随机分布还引起态密度形成一个尾巴。虽然多体效应和杂质的随机分布都会产生带尾效应，但在重掺杂半导体光谱中观察到的带尾与纯随机效应引起的指数变化带尾是有本质区别的。