硅外延是在高温下通过气相化学反应，在抛光的硅单晶片上生长一层或多层硅单晶薄膜，通过控制生长条件，可以获得不同电阻率，不同厚度及不同型号的外延层，主要用于制造各种硅集成电路和分立器件中重要的基础材料，大直径的硅集成电路芯片生产线均选用硅外延作为起始材料。硅外延是在高温下通过气相化学反应，在抛光的硅单晶片上生长一层或多层硅单晶薄膜，通过控制生长条件，可以获得不同电阻率，不同厚度及不同型号的外延层，主要用于制造各种硅集成电路和分立器件中重要的基础材料，大直径的硅集成电路芯片生产线均选用硅外延作为起始材料。