准Fermi能级这个概念是为了方便讨论非平衡载流子的统计分布以及载流子浓度的能级而引入的。概念对于处于热平衡状态的半导体，其中载流子在能带中的分布遵从Fermi-Dirac分布函数(f(E))，并且整个系统具有统一的Fermi能级(Ef)，其中的电子和空穴的浓度都可以采用这同一条Fermi能级来表示:no=Nc×exp[-(Ec-Ef)/kT], po=Nv×exp[-(Ef-Ev)/kT].而对于处于非(热)平衡状态的半导体，由于Fermi-Dirac分布函数及其Fermi能级的概念在这时已经失去了意义，从而，也就不能再采用Fermi能级来讨论非平衡载流子的统计分布了。因此，非平衡载流子的浓度计算是一个很复杂的非平衡统计问题。不过，对于非平衡状态下的半导体，其中的非平衡载流子可以近似地看成是处于一定的准平衡状态。例如，注入到半导体中的非平衡电子，在它们所处的导带内，通过与其他电子的相互作用，可以很快地达到与该导带相适应的、接近(热)平衡的状态，这个过程所需要的时间很短(该时间称为介电弛豫时间，大约在10-10ps以下)，比非平衡载流子的寿命(即非平衡载流子的平均生存时间，通常