深槽隔离技术采用的是固定宽度的深槽。尽管有报道采用深度为10um的深槽，但一般典型的深槽尺寸是宽度在65nm~0.5um之间，深度在2~5nm之间。较窄的槽宽度对存储器电路特别有吸引力。深槽工艺是从标准的LOCOS结构开始的。深槽隔离工艺如图1所示，在形成Si3N4图案后，就进行槽的刻蚀。深槽隔离技术对刻蚀工艺的要求非常严格。刻蚀后沟槽的侧壁必须光滑，与晶圆片平面之间的夹角不得大于85度。沟槽斜度大一些则更合乎要求。刻蚀沟槽的典型工艺是进行硅的各向异性刻蚀的同时淀积SiO2。这会在沟槽顶部形成一个SiO2的小尖角。这个尖角的厚度随时间而增加，从而形成预期的沟槽斜度。沟槽侧壁不能在掩蔽膜下进行横向钻刻，而且侧墙终端必须形成圆形的槽底。槽底的尖角将氧化过程中产生过大的应力，并最终在氧化层中形成缺陷。沟槽刻蚀后接着进行场注。随着深槽的深宽比的增大，防止侧壁反型变得越来越困难。因此，这次场注入的一个重要特点就是离子流要垂直于晶圆片的表面。