在掺杂型半导体材料中，杂质原子的能级离导带或满带边缘较近。因此，即使入射的光子能量较小(也就是光的波长较长)，还是能够激发杂质原子，产生光生电子或光生空穴，从而使电导增大，这就是杂质光电导。杂质光电导的极限波长可向长波方面移动，同时可获得较高的灵敏度。对于杂质半导体，光照使束缚于杂质能级上的电子或空穴电离，因而增加了导带或价带的载流子浓度，产生杂质光电导。由于杂质电离能比禁带宽度小很多，从杂质能级上激发电子或空穴所需的光子能量比较小，因此，杂质半导体作为远红外波段的探测器，具有重要的作用。例如，选用不同的杂质，Ge探测器的使用范围为10～120μm。