吸收电容在电路中起的作用类似于低通滤波器，可以吸收掉尖峰电压。通常用在有绝缘栅双极型晶体管（IGBT），消除由于母排的杂散电感引起的尖峰电压，避免绝缘栅双极型晶体管的损坏。吸收电容的结构特点 双面金属化膜内串结构、特别的内部设计和端面喷金技术，使电容具低感抗，多条引线设计，可承受更高纹波电流，高du/dv以及高过压能力。用于各类IGBT缓冲线路突波吸收，各类高频谐振线路。电容结构: 双层金属化膜，内部串联结构封装: 阻燃塑胶外壳，环氧树脂封装，符合(UL94V-0 )标准.尺寸: 适合于各种IGBT保护。 吸收电容的技术参数 电容量: 0.0047 to 6.8μF额定电压: 700 to 3000 Vdc损耗角正切:测试条件 1000±20 Hz ， 25±5℃.Cr≤1.0μF， 4×10-4； Cr>1.0μF， 6×10-4绝缘，以及无感泄放电阻；第四，其它有效措施。目前，缓冲电路的制作工艺也有多种方式：有用分立件连接的；有通过印制版连接的；更有用缓冲电容模块直接安装在IGBT 模块上的。显然，后一种方式因符合上述第二、第三种降感措施，因而缓冲效果好，能大限度地保护IGBT 安全运行。 吸收电容的作用