应力诱导漏电流，MOS集成度和功能的进一步的发展要求器件尺寸继续减小，从而使漏电流显著增加，在器件功耗中所占的比例进一步的增大。在超大规模集成电路中，应力诱导漏电流(SILC)被认为是影响栅氧化层可靠性的最关键的因素。SILC首次被Maserjian和Zaman于1982年发现，其特性已经被大量研究。Maserjian和zarnan首次提出电荷辅助遂穿效应的观点，提出电子注入使Si/SiO2面处止电荷的产生并积累对遂穿电流有显著贡献。后来又有人提出SILC并不是由于氧化层中正电荷的产生积累而产生的,而是产生一栅氧化层的局部的缺陷、离子沾污、以及注入界面处存在的弱键所引起的。