边发射半导体激光器

边发射半导体激光器（edge-emitting semiconductor laser diode），工学-光学工程-激光器与激光技术-边发射半导体激光器，激光沿着半导体芯片的晶片表面传播并在解理面的边缘反射或者进行耦合的激光器。又称面内发射半导体激光器。边发射半导体激光器是以半导体材料为工作物质的激光器。激光器的谐振腔长度通常在几百微米到几毫米之间。常用的工作物质有砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、铝镓砷（AlGaAs）等。激励方式有电注入、电子束激励和光泵浦三种形式。其工作原理是通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时，便产生受激发射。电注入型边发射半导体激光器，分为同质结、单异质结、双异质结、量子阱、量子点、量子级联等几种。同质结激光器和单异质结激光器在室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。1962年，美国科学家宣布成功研制出了第一代半导体激光器——GaAs同质结构注入型半导体激光器。