注入增强门极晶体管（injection enhanced gate transistor），工学-电气工程-电力电子技术-电力电子器件-功率晶体管，通过采用增强注入的结构来实现低通态电压的晶体管。具有通态压降低、门极驱动简单、开关损耗小、串联运行容易等诸多优点。注入增强门极晶体管是以绝缘栅双极型晶体管（IGBT）为基础，使内部载流子分布类似于门极可关断晶闸管[注]（GTO）的悬链式分布，从而大大降低器件的导通压降。传统IGBT结构中，从集电极到发射极，载流子在漂移区中的浓度分布是单调递减的。基于增加器件正向耐压能力，往往在集电极和发射集电极直接插入一个高掺杂浓度的N型缓冲区，但是高掺杂浓度会导致该区域载流子浓度降低从而增加器件的导通压降。注入增强门极晶体管在IGBT的基础上增加了栅极的宽度，该结构增加了栅极至发射极的电阻，从而阻止了载流子通过发射极侧。因此，N漂移区中发射极附近的载流子浓度增加。因为这一现象与载流子注入和积聚具有相同的效果，所以也被称为注入增强效果。即便是在高集电极-发射极电压的条件下，该槽栅结构也有助于减小压降。