场发射电子显微术(field emission electron micros-copy; FEEM),是借助样品针尖的场致电子发射及其放大图像来观察表面结构的研究方法。样品制成针状,针尖曲率半径约100nm,经侵蚀而成,样品置于超高真空中(约10-11Pa),并作为阴极。在阳极正电压所造成的电场(约107V /cm) 中,针尖发射电子,电子飞向荧光屏。发射电流 I 取决于电场强度F及发射表面的功函数q,例如在均匀电场中I=AF2exp(-Bφ2/F),式中A、B 为常数。因此可形成反映样品表面结构的二维图像。放大倍数可达106,分辨能力约为1nm。场发射电子显微术是指借助样品针尖的场致电子发射及其放大图象而观察表面结构的研究方法。