晶体熔体生长方法（technique of crystal growth from melt），工学-材料科学与工程-无机非金属材料-晶体材料-晶体制备科学，在高温下从熔融体中生长晶体材料的方法。当结晶物质的温度高于其熔点时，物质熔化为熔体；当其温度低于凝固点时，熔体就转变为结晶固体。熔体生长单晶首先要在熔体中引入籽晶，控制单晶成核，在籽晶与熔体相界面上发生液-固相变，籽晶逐渐长大。为了维持结晶过程，在相界面处的熔体必须保持一定的过冷度，而熔体中则必须处于过热状态，使其不能自发成核。由于是受控凝固生长，其生长过程简单且容易控制。特别是熔体生长能提纯、能均匀控制掺杂过程，故成为生长高质量半导体和激光介质晶体的一种主要手段，可用于生长许多种金属、半导体、氧化物和离子晶体，以及少量有机化合物晶体。由于电子工业、光通信和人工宝石等高技术领域对高质量晶体的大量需求，熔体生长已成为工业化生长高质量晶体最常用的方法之一。从熔体中生长单晶的方法主要有以下4种：①丘克拉斯基法，又称直拉法，简称CZ法。是从熔体中提拉晶体的方法。