硅二极管探测器（silicon diode detector），工学-核技术-〔核探测器和核电子学〕-核辐射探测器-核辐射探测，在硅半导体材料上通过蒸镀、扩散或离子注入等工艺形成P-N结或P-I-N结的核辐射探测器。可用于X和γ射线、中子和轻重带电粒子探测。金硅面垒型探测器是在N型高阻硅表面蒸镀50～100mg/cm2的金形成PN结，因工艺简单、价廉而成为一种最常用的硅二极管探测器。硅锂漂移探测器是在P型硅中注入锂（Li）离子，在电场作用下深度扩散形成结区的一种探测器，耗尽层厚度可达5mm以上，适用与X、γ、β等穿透能力较强的辐射探测。P-I-N结二极管探测器通常用N型高阻硅，一面注入硼离子形成P+结层，另一面注入磷离子形成N+欧姆层，通过局部扩散形成P-I-N三层结构的一种探测器，其中I指本征层。硅二极管探测器具有高能量分辨、宽线性范围和快时间相应等优点，其缺点是灵敏区厚度有限、抗辐照性能欠佳。