碳纳米管异质结

碳纳米管异质结（carbon nanotube heterojunction），工学-材料科学与工程-纳米材料-纳米管，由碳纳米管构成的异质结。碳纳米管的手性指数(n,m)决定其能带结构，不同结构的碳纳米管可用作金属性导体或者带隙不同的半导体。碳纳米管异质结可用于进一步构筑电子和光电子器件及各种传感器。形成碳纳米管异质结的方法有：①在纳米管结构中引入五元环-七元环缺陷以改变其手性指数，导致在缺陷两侧的纳米管能带结构不同，从而形成一个碳纳米管异质结。②通过对碳纳米管的部分修饰，也可以形成异质结。例如，一般方法制备出的碳纳米管为P型半导体，若在一根纳米管的一端沉积一些金属钾，对这部分纳米管进行N型掺杂，就可以形成一个PN结。③通过外延生长或者组装的方法形成碳纳米管与金属、半导体材料的异质结。