宽禁带半导体（wide bandgap semiconductor），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔半导体材料〕，半导体禁带宽度一般大于2.2电子伏的材料。半导体材料根据禁带宽度的不同，可分为宽禁带半导体材料与窄禁带半导体材料。宽禁带半导体主要是指禁带宽度（导带最低点与价带最高点之间的能量差）大于2.2电子伏的半导体材料，又被称为第三代半导体材料。主要包括氮化镓、碳化硅、氧化锌、金刚石、氮化铝及各种合金材料等。继以硅为代表的第一代、以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后，第三代半导体材料具有禁带宽度大、电子浓度和迁移率高、电子漂移饱和速度高、击穿电场强度高、热导率高、抗辐射能力强、物理化学稳定性好等特点，非常适用于制作抗辐射、耐高温及高频、大功率和高密度集成的电子器件。此外，利用其宽的直接带隙，还可以制作蓝光、绿光、紫外光发光器件和光探测器件。宽禁带半导体在半导体照明、家用电器、新能源汽车，轨道交通、智能电网、军工航天方面的应用都具备优势。其在照明光源、激光器存储和功率微波器件等领域所造成的影响可以说是革命性的。