碳化硅外延（silicon carbide epitaxy），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料制备]-[薄膜生长]-半导体外延生长，在碳化硅单晶衬底（基片）上生长有一定要求（厚度和掺杂浓度）、具有特定晶面的碳化硅单晶层的技术。20世纪50年代，出现了利用升华法生长碳化硅晶体的技术。早期碳化硅外延的研究主要集中于在硅衬底上进行立方碳化硅（3C-SiC）异质外延生长。20世纪80年代，以有偏角晶片作为衬底的台阶流生长方法的出现，使碳化硅外延生长技术得到了突破性的发展。碳化硅外延生长方法主要包括气相外延方法、液相外延（LPE）和分子束外延（MBE）等，但主要是在气相条件下进行。其中，最常用的方法是化学气相淀积法（CVD）。碳化硅外延生长主要包括将碳化硅衬底放入反应室、抽真空、升温、原位刻蚀、通入生长源气体进行外延生长和降温取片等工艺流程。碳化硅外延是碳化硅器件制备的基础。碳化硅外延材料主要用于制作各种碳化硅分立器件，如肖特基二极管（SBD）、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、结型场效应晶体管（JFET）、双极晶体管（BJT）等。