非辐射复合（non-radiative recombination），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-[半导体材料物理性质]-非辐射复合，除去发射光子的辐射复合外，半导体中导带电子和价带空穴以非发射和吸收光子方式释放能量的复合过程。非辐射复合对光电器件的工作没有直接作用。半导体中的杂质和缺陷可以在禁带中形成一定的孤立能级，对非平衡载流子的寿命有很大影响，因此杂质和缺陷有促进复合的作用。材料的本底杂质、晶格缺陷、缺陷与杂质的复合体等都可能成为非辐射复合中心。非辐射复合中主要有多声子复合，俄歇复合和表面复合等，但许多类型的非辐射复合过程尚不清楚。①多声子复合，指电子与空穴在通过由缺陷和杂质引入的禁带中的孤立能级发生复合，并将能量以热的形式传递给晶格的复合过程。由于声子能量远小于禁带宽度对应的能量，一般会以激发多个声子的形式释放出多余的能量，多声子过程是一个发生概率很低的多级过程。②俄歇复合，是碰撞电离的逆过程。指电子与空穴直接复合，同时把能量转移给其他载流子的复合过程，如转移给N型半导体中的电子和P型半导体中的空穴。