双势垒隧穿

双势垒隧穿（double barrier tunneling），理学-物理学-凝聚态物理学-半导体物理学-〔基本理论〕，在一个双势垒结构中，电子在某一能量附近发生共振，穿透系数为1的现象。双势垒隧穿的原理可参考共振隧穿。双势垒隧穿作为最简单的共振隧穿，起始于共振隧穿初期的研究。最初结果由D.玻姆[注]通过WKB近似计算得到。其共振隧穿的（电流-电压）特性也于1983年由G.索尔纳[注]在AlGaAs/GaAs双势垒结构中观测到。从上到下示意了偏置从低到高，势垒外阴影区内带电粒子与中间阱区分立能级（限制态）的结构关系不同偏压下双势垒共振隧穿结构图其过程可分为如下部分（见图）。正电阻区：在低偏置下，随着偏置的增加，在势垒中的第一个限制态逐渐靠近费米能级，此时电流随之增加。负电阻区：随着偏置的进一步增加，第一个限制态将低于费米能级，进入禁带，此时随着偏置增加，电流减小。同时第二个限制态仍高出费米能级很多，对电流没有贡献。第二个正电阻区：与第一个区类似，随着第二个限制态越来越靠近费米能级，第二个限制态将输运更多电流，使得总电流再次增加。