单粒子烧毁（single event burnout；SEB），工学-航空宇航科学与技术-航天-航天综合电子技术-航天微电子-集成电路，场效应管（MOS）内部由于单个高能粒子入射引起漏极-源极电流增大并超过额定电流，而造成器件烧毁的现象。单粒子烧毁是一种破坏型的单粒子效应。在Ｎ型沟道功率晶体管中极易发生。SEB通常由重离子辐射引发，但也可以在其他能够产生高瞬态电流的辐射源中触发。SEB一般发生在具有寄生双极结型晶体管（BJT）结构的器件中，寄生BJT正向导通时器件内部瞬态电流急剧增大，最终导致器件烧毁。SEB是否触发由许多因素决定，其中最重要的影响因素是线性能量传输（LET）值、粒子入射轨迹和器件偏压条件。寄生NPN双极晶体管具有比寄生PNP双极晶体管更高的电流增益，所以Ｎ沟道器件对SEB更为敏感。MOS的单粒子烧毁与其内部寄生双极晶体管工作状态密切相关。具体来说，离子入射到功率MOS器件的N源区或P沟道区，在PP+区沉积能量，产生大量的电子空穴对，在漂移场和扩散的双重作用下，形成瞬发电流。