铟镓砷（indium gallium arsenide），工学-材料科学与工程-电子信息材料-半导体材料-化合物半导体-三元化合物半导体，由砷化铟（InAs）和砷化镓（GaAs）形成的替位固溶体半导体材料。化学式为In1-xGaxAs，其中x可取0到1之间的任意组分。相应地，常温时其禁带宽度从0.34～1.42电子伏连续可调，直接带隙。铟镓砷单晶的晶格为立方晶系的闪锌矿结构。应用最多的组分配比为In0.47Ga0.53As，其单晶的晶格常数为5.869Å，与磷化铟（InP）的晶格常数匹配。In0.47Ga0.53As的禁带宽度为0.75电子伏，电子有效质量为0.041，重空穴有效质量为0.2，轻空穴有效质量为0.051，电子迁移率为10000厘米2·伏−1·秒−1，空穴迁移率为250厘米2·伏−1·秒−1，热膨胀系数为5.66×10−6开−1。 In0.47Ga0.53As的带宽和高电子迁移率使它在微电子和光电子器件中有重要应用，In0.47Ga0.53As是1.1～1.7微米波长范围内红外光电二极管的首选材料，其时间响应快，具有低暗电流和高量子效率。